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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5548 个

  • 无刷电机,40v120a mos,3004场效应管,KNY3004B参数-KIA MOS管

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    KNY3004B场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流120A,采用先进沟槽技术制造,?极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ,最大限度地减少导电损耗,超低栅极电荷、低交叉,开关速度快,高效低耗;CdV/dt效应下降极佳、100% ΔVds测试 、100% UIS测试,能够在额定工作条件下稳...

    www.kiaic.com/article/detail/6082.html         2025-12-05

  • 大功率LED灯驱动电路图原理详解-KIA MOS管

    电源芯片在一个器件上集成了一个700V高压MOSFET 开关和一个电源控制器,与普通的PWM 控制器不同,它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。控制器包括一个振荡器、使能电路、限流状态调节器、5.8V 稳压器、欠电压即过电压电路、限流选择电路、过热保护、电流...

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    www.kiaic.com/article/detail/6081.html         2025-12-05

  • obc车载充电机原理,obc车载充电机作用-KIA MOS管

    OBC的全称是On-Board Charger,即车载充电机。它固定安装在电动汽车内部,功能作用是:将来自外部(如家庭插座、公共交流充电桩)的交流电,转换成直流电,为车辆的动力电池进行充电。

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    www.kiaic.com/article/detail/6080.html         2025-12-05

  • 充电桩,80v80a mos,​3308场效应管,​KNB3308A参数-KIA MOS管

    KNB3308A?场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流80A,极低导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ,最大限度地减少导电损耗,低栅极电荷、低交叉,开关速度快,高效低耗;具有高雪崩电流,能够在额定工作条件下稳定运行,确保电路的安全可靠性,无铅和绿色设计,符合环保要求,...

    www.kiaic.com/article/detail/6079.html         2025-12-04

  • 车载充电机工作原理,车载充电机电路原理-KIA MOS管

    车载充电机的输入端连接市电电网(单相或三相交流电),首先需通过电磁干扰滤波器(EMI Filter)抑制电网中的高频噪声,防止对车辆电子系统造成干扰。随后,输入电压经整流电路转换为脉动直流电,为后续DC-DC转换提供基础。

    www.kiaic.com/article/detail/6078.html         2025-12-04

  • dfn8封装尺寸图,dfn8封装详解-KIA MOS管

    DFN8封装尺寸长度:约2-4mm(部分器件可达5-6mm,如VBGQA1202N的5×6mm封装)。宽度:与长度相近,约2-4mm。厚度:约0.35-0.9mm。

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    www.kiaic.com/article/detail/6077.html         2025-12-04

  • 28n50场效应管,500v28a,to-220f,KIA28N50HF参数-KIA MOS管

    28n50场效应管漏源击穿电压500V,漏极电流28A,极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω,最大限度地减少导电损耗,低栅极电荷、低交叉,开关速度快,高效低耗;100% 雪崩失效率、提高dv/dt能力、符合RoHS标准,稳定可靠;具有良好的开关特性,能够承受较大的耐压和电流,...

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    www.kiaic.com/article/detail/6076.html         2025-12-03

  • 芯片封装形式,芯片的八大封装分享-KIA MOS管

    引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种,引脚中心距为2.54mm,引脚数从6-64;适合在PCB上穿孔焊接,操作方便,体积比较大

    www.kiaic.com/article/detail/6075.html         2025-12-03

  • sot-89,sot89封装尺寸图,sot封装-KIA MOS管

    SOT-89封装尺寸为长度4.5毫米、宽度2.45毫米、高度1.55毫米,引脚间距为1.5毫米,支持3或5引|脚配置。部分制造商的产品可能存在细微差异,例如长度可能为4.6毫米、宽度2.6毫米或高度1.6毫米。

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    www.kiaic.com/article/detail/6074.html         2025-12-03

  • 80v130a mos,​2908场效应管参数,to263封装,KNB2908D-KIA MOS管

    KNB2908D场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流130A,采用专有的新型技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ,最大限度地减少导电损耗,低栅极电荷,开关速度快,减少开关损耗,提高效率;具有卓越的电气参数,高雪崩电流,能够承受高功率负载,稳定可靠;无铅设...

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    www.kiaic.com/article/detail/6073.html         2025-12-02

  • 电源自动切换,12V电源自动切换电路图-KIA MOS管

    输入端连接可调稳压电源,调整VR1让电路在约11.5V时完成电源切换动作。为了实现更高效的能源管理,需要采用低导通电阻的PMOS场管。

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    www.kiaic.com/article/detail/6072.html         2025-12-02

  • led恒流驱动电路,led恒流驱动方案-KIA MOS管

    采用高频变压器或电感储能,通过PWM控制实现高效能量转换。效率高(可达90%以上),但电路复杂,常用于大功率LED驱动。

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    www.kiaic.com/article/detail/6071.html         2025-12-02

  • 30v80a mos,3080场效应管参数,to252,​KND3080-KIA MOS管

    KND3080是一款N沟道逻辑电平增强模式功率MOSFET,漏源击穿电压30V,漏极电流80A,采用先进的沟槽技术制造,提供卓越的开关性能;极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ,最大限度地减少导电损耗,减少导通损耗,超低栅极电荷,高效低耗;CdV/dt效应显著下降、100% ΔVd...

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    www.kiaic.com/article/detail/6070.html         2025-12-01

  • 太阳能逆变器电路,光伏逆变器电路图-KIA MOS管

    太阳能光伏逆变器如图所示,由两级电路组成,首先是不同节数的太阳能电池作为直流输入,由于太阳能输出的昼夜不稳定的特点,一般前级采用带MPPT功能的DC/DC电源,产生一个稳定的高压直流母线电压,后级基于这个电压做DC/AC逆变产生交流电。当系统为单相交流时,...

    www.kiaic.com/article/detail/6069.html         2025-12-01

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